图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IPB107N20N3 G,IPx110N20N3 G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 88A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 10.7 mOhm @ 88A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 270µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 87nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 7100pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 300W |
| 匹配代码 | IPB107N20N3 G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 0.5K/W |
| LogicLevel | NO |
| 包装 | TO263-3 |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 13 weeks |
| 最小起订量 | 1 |
| Q（克） | 65nC |
| LLRDS （上） | n.s.Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | n.s.V |
| 我（D ） | 88A |
| V（ DS ） | 200V |
| 技术 | OptiMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0107Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 88A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 270µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-2 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 10.7 mOhm @ 88A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7100pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 87nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IPB107N20N3 GCT |
| 类别 | High Frequency Switching, Synchronous Rectification |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm |
| 身高 | 4.57mm |
| 长度 | 10.31mm |
| 最大连续漏极电流 | 88 A |
| 最大漏源电阻 | 11 mΩ |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 300 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | PG-TO-263-3 |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 65 nC V @ 0 → 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 5340 pF V @ 100 |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 宽度 | 9.45mm |
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